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第130章 叛徒（第1页）

陈申在实验室研究着，手下小将无数。

“陈教授，要用008号材料实验吗？”

008号材料，就是石墨烯魔角技术，电子流过，就可让这材料在绝缘与超导之间相互转变！

全世界，独此一家别无分号，没有任何一材料，拥有这种特性。

“当然，元素周期表上，碳和硅属于同族元素，但因为碳的活性和导电性不满足制造需求，这才舍弃了碳为材料，而是采用沙子中提炼的硅元素。”

“现在出现了008号材料，可在绝缘与超导之间相互转变，将碳元素不足给弥补，当然要使用此项材料了。”

“是。”

看着牛大力渐渐远去，陈申柔柔脑袋，想不通这么瘦弱的科研狗，为什么给取这么一个名字。

名不副实啊。

现在就是测试材料，看是不是如脑中知识一样，符合技术参数指标。

具体制作芯片的基材，还需要陈申改变008号材料的结构特性。

也就是石墨烯晶体管技术。

下午，陈申就开启了大会。

“晶体管是芯片的核心元器件，更小的栅极尺寸，能够让芯片上集成更多的晶体管，并带来更强大的性能。”

“根据摩尔定律，集成电路芯片上可容纳的晶体管数，每隔18-24个月便会增加一倍，微处理器的性能就提高一倍，价格会下降一半。”

“过去，几十年来，晶体管的栅极尺寸在摩尔定律的推动下不断微缩，但是最近几年，晶体管在物理尺寸已经进入纳米尺度，电子迁移效率降低、漏电流增大、静态功耗增大等短沟道效应越来越严重。”

“新结构，新材料，迫在眉睫。”

“目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在12纳米以上，但是，我们石墨烯制备这项技术已然攻破，我们可以用单层石墨烯，这种厚度仅为0。34纳米的材料，构织栅极，让出更多的空间，用来放置晶体管。”

“现在，我要成立2号小组，根据我的指示，攻克石墨烯栅极技术，用侧向电场的技术，打开沟道开关，我的目标是，用008号材料，更好的电学效能，将栅极尺寸控制在1纳米以内。”

“能不能做到？”

“能！”

很快，就有自愿加入的科研大军，觉得自己适合搞这个，举手加入第二小组。

“下面，成立3号小组。”

“石墨烯本身是平面结构，其除了侧壁能够栅控，表面也能栅控，这是不可以的，需要屏蔽表面电场。”

“我需要3号小组，根据我的指导方向，开发出自氧化铝层，来对石墨烯表面电场进行屏蔽，有兴趣的来3号小组。”

“又是一队人马，主要是研究材料方向的博士教授举手，加入了3号小组。”

“4号小组，8英寸石墨烯晶圆。”

……

就这样，一个个小组成立，最后，陈申说道：“余下的各位，加入我的一号小组，由我做领头羊，完成石墨烯晶体管技术。”

“是。”

没有人看到，一名科研人员，当加入陈申小组后，脸上露出兴奋、难受、开心、挣扎等等多种多样的情绪。